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三星现在使用TSV互联技术批量生产128GB DDR4模块

三星周四透露,它目前正在大规模生产内存模块,号称是所有DRAM模块中容量最大、能效最高的。128GB的DDR4显卡是通过使用通硅via (TSV)互连技术实现的。

TSV技术取代了传统的金属丝焊接,它将芯片研磨至几十微米,用数百个小孔刺穿芯片,然后将芯片与穿过小孔的电极垂直连接。虽然不是新的,但这种先进的电路确实可以极大地提高信号的传输速度。

128GB的模块由144个DDR4芯片组成,被安排成4GB的DRAM包(每边18个,共36个),每个包含4个20nm 8Gb芯片。三星表示,这些模块有一个特殊的设计,每个4GB的主芯片都嵌入了数据缓冲功能,进一步优化了性能和功耗。

最终的结果是,该模块提供高达2400兆比特每秒的速度,几乎是之前最大容量DRAM模块64GB LRDIMMs的两倍性能和一半的功耗。三星表示,之前的容量王受到功率和速度的限制,因为它使用的是传统的电线连接。


三星表示,计划在未来几周内推出一整套TSV DRAM模块,并将数据传输速度提高至每秒3200兆比特。

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